1 ななしのよっしん
2010/07/30(金) 06:24:22 ID: iihCkKCeLT
DRAMSRAMべて消費電が多いって言ってるのは、同じプロセステクノロジで同規模・同アクセス速度かつ同じ動作条件(AdressingRead/Write・温度など)で較した時の話なの?
汎用DRAMと同規模(数Mbit~数GBit)のSRAMなんて作ったら消費電が凄いことになりそうなんだけど。
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2 ななしのよっしん
2010/10/13(水) 17:56:20 ID: hCxW4fBUOa
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/1010/13/news025.htmlexit
エルピーダメモリシャープが次世代メモリを共同開発し、2013年の商品化をしていると、日本経済新聞が伝えている。
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3 ななしのよっしん
2012/01/07(土) 16:04:05 ID: NcodeNc3PD
The AMD's Cafe:Micron、サーバー向け64GBメモリモジュールリリース予定
http://blog.livedoor.jp/amd646464/archives/52230117.htmlexit

>1モジュールで64GBとなるとかなり大きく感じますね
>すぐにTBクラスメモリが構築できてしまいそうです
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4 ななしのよっしん
2012/01/27(金) 14:10:00 ID: NcodeNc3PD
PC Watchエルピーダ、64MbitReRAMの開発に成功 ~シャープ東大産総研との共同開発
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20120124_507015.htmlexit

> ReRAMは、電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子とする次世代半導体メモリ
>不揮発性でありながら、書き換え速度が10nsDRAM並みで、書き換え回数は
>NANDフラッシュの10倍以上となる100万回以上を実現している。また、消費電も少ない。
>
> 今後、2013年には30nmプロセスギガビット級の量産をす。
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5 ななしのよっしん
2012/02/24(金) 00:21:52 ID: NcodeNc3PD
PC Watchパナソニック、業界最高速ReRAMを開発
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20120223_514058.html?ref=rssexit

> 今回パナソニック開発したのは、交差する配線の交点(クロスポイント)にReRAM素子を配置して
>1bitを構成するクロスポイントReRAM。トランジスタReRAM素子を組み合わせる
>1T1Rにべ、トランジスタが不要なため、セルサイズを1/4程度に縮小できる。
>また、積層も可で、4層では約16倍の高密度化が可となる。

>加えて、階層ビット線方式および多ビット同時書き込み方式の採用により、
>リーク電流を1万分の1以下に低減し、クロスポイント周辺回路の動作限界である
>書き込みパルス幅8.2nsを達成し、書き込み速度443MB/secを実現した。
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6 ななしのよっしん
2012/04/04(水) 12:36:58 ID: NcodeNc3PD
後藤茂のWeekly海外ニュースエルピーダメモリの行き詰まりはDRAM終焉徴か
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/20120301_515496.htmlexit

> エルピーダメモリが行き詰まったというより、DRAMの終わりが近づきつつある。
>エルピーダの“事件”は、そうした状況を徴しているように見える。
>
> エルピーダメモリ2月27日に、会社更生手続きの開始を申し立てしたことを明らかにした。
>しかし、問題があったのはエルピーダの経営というより、むしろDRAMという産業そのものの状況だ。
>DRAM市場と技術が、だんだんと行き詰まり、ついに終わりまで見え始めたからだ。
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7 ななしのよっしん
2012/04/04(水) 12:40:07 ID: NcodeNc3PD
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8 ななしのよっしん
2012/10/07(日) 01:47:02 ID: isxkF2GeMD
SRAMSPAMに見えた
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9 ななしのよっしん
2020/12/28(月) 04:49:21 ID: COEYCUdqKr
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10 ななしのよっしん
2024/02/10(土) 09:23:55 ID: w3pdO2JeQ7
試しにRAMDISK使ってみると
nowloadingとかメニュー操作時のストレスとかほぼになるな
本当にSSDじゃないな、SSDいけど
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